0 0 0
  8. XP152A11E5MR-G

Транзисторы с каналом P SMD XP152A11E5MR-G

 
XP152A11E5MR-G
 
TOREX
Артикул: 543636
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,7А; Idm: -2,8А; 0,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.79 грн
25+
34.94 грн
58+
16.85 грн
159+
16.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TOREX(435)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-700мА(1479086)
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-2,8А(1801471)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD XP152A11E5MR-G
TOREX
Артикул: 543636
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,7А; Idm: -2,8А; 0,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.79 грн
25+
34.94 грн
58+
16.85 грн
159+
16.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TOREX
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-700мА
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-2,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g