0 0 0
  7. GD75HFY120C1S

Модули IGBT GD75HFY120C1S

 
GD75HFY120C1S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732064
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 689.06 грн
24+
2 586.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
C1 34mm(1750435)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
75А(1441616)
Ток коллектора в импульсе
150А(1441723)
Электрический монтаж
коннекторы FASTON(1612508) винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Advanced Trench FS IGBT(1950594)
Топология
полумост IGBT(1612529)
Дополнительная информация: Масса брутто: 150 g
 
Модули IGBT GD75HFY120C1S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732064
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 689.06 грн
24+
2 586.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
C1 34mm
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
150А
Электрический монтаж
коннекторы FASTON
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Advanced Trench FS IGBT
Топология
полумост IGBT
Дополнительная информация: Масса брутто: 150 g