0 0 0
  7. GD50HFX65C1S

Модули IGBT GD50HFX65C1S

 
GD50HFX65C1S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 731989
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 508.43 грн
2+
2 371.41 грн
24+
2 280.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
C1 34mm(1750435)
Обратное напряжение макс.
650В(1440613)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
100А(1441718)
Электрический монтаж
коннекторы FASTON(1612508) винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Trench FS IGBT(1950591)
Топология
полумост IGBT(1612529)
Дополнительная информация: Масса брутто: 150 g
 
Модули IGBT GD50HFX65C1S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 731989
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 508.43 грн
2+
2 371.41 грн
24+
2 280.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
C1 34mm
Обратное напряжение макс.
650В
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
100А
Электрический монтаж
коннекторы FASTON
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Trench FS IGBT
Топология
полумост IGBT
Дополнительная информация: Масса брутто: 150 g