0 0 0
  8. DG120X07T2

Транзисторы IGBT THT DG120X07T2

 
DG120X07T2
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746637
Транзистор: IGBT; 650В; 120А; 893Вт; TO247PLUS
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
900.78 грн
2+
640.07 грн
5+
604.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 18 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247PLUS(1950558)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
120А(1492079)
Ток коллектора в импульсе
360А(1750617)
Время включения
282нс(1950547)
Время выключения
334нс(1950548)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
893Вт(1823182)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,86мкC(1950531)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,88 g
 
Транзисторы IGBT THT DG120X07T2
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746637
Транзистор: IGBT; 650В; 120А; 893Вт; TO247PLUS
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
900.78 грн
2+
640.07 грн
5+
604.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 18 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO247PLUS
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
120А
Ток коллектора в импульсе
360А
Время включения
282нс
Время выключения
334нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
893Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,86мкC
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,88 g