0 0 0
  8. SCT3040KRC14

Транзисторы с каналом N THT SCT3040KRC14

 
SCT3040KRC14
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741276
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; Idm: 137А; 262Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 561.83 грн
2+
2 422.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
55А(1441569)
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм(1479252)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
262Вт(1759513)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
107нC(1512597)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-4...22В(1981554)
Ток стока в импульсном режиме
137А(1933306)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT SCT3040KRC14
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741276
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; Idm: 137А; 262Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 561.83 грн
2+
2 422.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
55А
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
262Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
107нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-4...22В
Ток стока в импульсном режиме
137А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g