0 0 0
  7. NTZD3155CT1G

Транзисторы многоканальные NTZD3155CT1G

 
NTZD3155CT1G
 
ONSEMI
Артикул: 000301
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
26.54 грн
10+
15.53 грн
100+
10.85 грн
115+
8.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 5712 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563F(1926774)
Напряжение сток-исток
20/-20В(1596061)
Ток стока
0,39/-0,31А(1702238)
Сопротивление в открытом состоянии
400/500мОм(1605756)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,25Вт(1701903)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,5/1,7нC(1636464)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,011 g
 
Транзисторы многоканальные NTZD3155CT1G
ONSEMI
Артикул: 000301
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
26.54 грн
10+
15.53 грн
100+
10.85 грн
115+
8.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 5712 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563F
Напряжение сток-исток
20/-20В
Ток стока
0,39/-0,31А
Сопротивление в открытом состоянии
400/500мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,5/1,7нC
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,011 g