0 0 0
  8. PSMN3R7-100BSEJ

Транзисторы с каналом N SMD PSMN3R7-100BSEJ

 
PSMN3R7-100BSEJ
 
NEXPERIA
Артикул: 778267
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 780А; 405Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
352.38 грн
4+
255.79 грн
11+
241.88 грн
800+
232.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
10,7мОм(1599736)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
405Вт(1742104)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
246нC(1959940)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
780А(1714533)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN3R7-100BSEJ
NEXPERIA
Артикул: 778267
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 780А; 405Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
352.38 грн
4+
255.79 грн
11+
241.88 грн
800+
232.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
10,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
405Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
246нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
780А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g