0 0 0
  8. G3R75MT12D

Транзисторы с каналом N THT G3R75MT12D

 
G3R75MT12D
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451844
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
920.19 грн
2+
739.56 грн
4+
699.25 грн
30+
680.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 281 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
29А(1479295)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
207Вт(1833095)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
54нC(1479413)
Технология
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...15В(1981523)
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,07 g
 
Транзисторы с каналом N THT G3R75MT12D
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451844
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
920.19 грн
2+
739.56 грн
4+
699.25 грн
30+
680.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 281 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
29А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
207Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
54нC
Технология
SiC
Технология
G3R™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,07 g