0 0 0
  8. G2R1000MT17J

Транзисторы с каналом N SMD G2R1000MT17J

 
G2R1000MT17J
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451822
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
463.58 грн
3+
403.11 грн
7+
381.41 грн
50+
367.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 967 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263-7(1492235)
Напряжение сток-исток
1,7кВ(1593807)
Ток стока
4А(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом(1441391)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
54Вт(1608403)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Технология
SiC(1591568) G2R™(1833100)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Ток стока в импульсном режиме
8А(1709892)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,453 g
 
Транзисторы с каналом N SMD G2R1000MT17J
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451822
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
463.58 грн
3+
403.11 грн
7+
381.41 грн
50+
367.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 967 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
SMD
Корпус
TO263-7
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Ток стока
4А
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
54Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Технология
SiC
Технология
G2R™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Ток стока в импульсном режиме
8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,453 g