0 0 0
  8. G2R1000MT17D

Транзисторы с каналом N THT G2R1000MT17D

 
G2R1000MT17D
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451832
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 53Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
504.67 грн
3+
349.62 грн
8+
330.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1,7кВ(1593807)
Ток стока
4А(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом(1441391)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
53Вт(1740746)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технология
SiC(1591568) G2R™(1833100)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Ток стока в импульсном режиме
8А(1709892)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,085 g
 
Транзисторы с каналом N THT G2R1000MT17D
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451832
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 53Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
504.67 грн
3+
349.62 грн
8+
330.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Ток стока
4А
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
53Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Технология
SiC
Технология
G2R™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Ток стока в импульсном режиме
8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,085 g