0 0 0
  7. DMG1023UV-7

Транзисторы многоканальные DMG1023UV-7

 
DMG1023UV-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000182
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,68А; 0,53Вт; SOT563
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
20.29 грн
10+
15.30 грн
100+
9.76 грн
150+
6.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2990 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-680мА(1600705)
Сопротивление в открытом состоянии
25Ом(1536803)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
0,53Вт(1742035)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g
 
Транзисторы многоканальные DMG1023UV-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000182
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,68А; 0,53Вт; SOT563
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
20.29 грн
10+
15.30 грн
100+
9.76 грн
150+
6.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2990 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-680мА
Сопротивление в открытом состоянии
25Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,53Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g