0 0 0
  8. C3M0065100J

Транзисторы с каналом N SMD C3M0065100J

 
C3M0065100J
 
Wolfspeed(CREE)
Артикул: 075854
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7; 14нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 052.57 грн
3+
994.96 грн
10+
956.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
Wolfspeed(CREE)(1214)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK-7(1479506)
Время готовности
14нс(1694006)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
35А(1441492)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
113,5Вт(1741878)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
9нC(1609896)
Технология
SiC(1591568) C3M™(1667437)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-8...19В(1981127)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,367 g
 
Транзисторы с каналом N SMD C3M0065100J
Wolfspeed(CREE)
Артикул: 075854
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7; 14нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 052.57 грн
3+
994.96 грн
10+
956.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
Wolfspeed(CREE)
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK-7
Время готовности
14нс
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
35А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
113,5Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
9нC
Технология
SiC
Технология
C3M™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-8...19В
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,367 g