Транзисторы с каналом N THT WMJ80N65F2

 
WMJ80N65F2
 
Артикул: 389273
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 650В; 45А; Idm: 245А; 410Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
934.66 грн
3+
401.47 грн
7+
379.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 141 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Время готовности
190нс(1705688)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
45А(1441307)
Сопротивление в открытом состоянии
37мОм(1479006)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
410Вт(1701957)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
26,2нC(1747408)
Технология
WMOS™ F2(1946792)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
245А(1795259)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,18 g
 
Транзисторы с каналом N THT WMJ80N65F2
WAYON
Артикул: 389273
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 650В; 45А; Idm: 245А; 410Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
934.66 грн
3+
401.47 грн
7+
379.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 141 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Время готовности
190нс
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
45А
Сопротивление в открытом состоянии
37мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
410Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
26,2нC
Технология
WMOS™ F2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
245А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,18 g