0 0 0
  8. XP261N70023R-G

Транзисторы с каналом N SMD XP261N70023R-G

 
XP261N70023R-G
 
TOREX
Артикул: 543645
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15А; Idm: 0,3А; 0,35Вт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.95 грн
30+
4.48 грн
100+
3.56 грн
320+
3.13 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TOREX(435)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,15А(1645009)
Сопротивление в открытом состоянии
5,5Ом(1626185)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,35Вт(1701891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,3А(1709866)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD XP261N70023R-G
TOREX
Артикул: 543645
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15А; Idm: 0,3А; 0,35Вт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.95 грн
30+
4.48 грн
100+
3.56 грн
320+
3.13 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TOREX
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,15А
Сопротивление в открытом состоянии
5,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,3А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g