0 0 0
  7. US1J F3

Универсальные диоды SMD US1J F3

 
US1J F3
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 041076
Диод: импульсный; SMD; 600В; 1А; 75нс; SMA; Ufmax: 1,7В; Ifsm: 30А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
55.04 грн
5+
28.53 грн
25+
23.02 грн
49+
19.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 618 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMA(1617640)
Емкость
10пФ(1437234)
Обратное напряжение макс.
0,6кВ(1644524)
Падение напряжения макс.
1,7В(1439873)
Прямой ток
1А(1439523)
Конструкция диода
одиночный диод(1612600)
Время готовности
75нс(1440086)
Импульсный ток
30А(1439579)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
импульсный(1440247)
Характеристики полупроводниковых элементов
сверхбыстрый диод(1497038)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,119 g
 
Универсальные диоды SMD US1J F3
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 041076
Диод: импульсный; SMD; 600В; 1А; 75нс; SMA; Ufmax: 1,7В; Ifsm: 30А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
55.04 грн
5+
28.53 грн
25+
23.02 грн
49+
19.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 618 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SMA
Емкость
10пФ
Обратное напряжение макс.
0,6кВ
Падение напряжения макс.
1,7В
Прямой ток
1А
Конструкция диода
одиночный диод
Время готовности
75нс
Импульсный ток
30А
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
импульсный
Характеристики полупроводниковых элементов
сверхбыстрый диод
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,119 g