0 0 0
  7. ES1JL

Универсальные диоды SMD ES1JL

 
ES1JL
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 040350
Диод: выпрямительный; SMD; 600В; 1А; 35нс; subSMA; Ufmax: 1,7В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
9.46 грн
50+
8.37 грн
150+
6.82 грн
400+
6.44 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 18810 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
subSMA(1497105)
Емкость
8пФ(1503047)
Обратное напряжение макс.
0,6кВ(1644524)
Падение напряжения макс.
1,7В(1439873)
Прямой ток
1А(1439523)
Конструкция диода
одиночный диод(1612600)
Время готовности
35нс(1440096)
Импульсный ток
30А(1439579)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
выпрямительный(1439519)
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated(1617588) сверхбыстрый диод(1497038)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,035 g
 
Универсальные диоды SMD ES1JL
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 040350
Диод: выпрямительный; SMD; 600В; 1А; 35нс; subSMA; Ufmax: 1,7В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
9.46 грн
50+
8.37 грн
150+
6.82 грн
400+
6.44 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 18810 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
subSMA
Емкость
8пФ
Обратное напряжение макс.
0,6кВ
Падение напряжения макс.
1,7В
Прямой ток
1А
Конструкция диода
одиночный диод
Время готовности
35нс
Импульсный ток
30А
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
выпрямительный
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated
Характеристики полупроводниковых элементов
сверхбыстрый диод
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,035 g