0 0 0
  7. ES1DL R2G

Универсальные диоды SMD ES1DL R2G

 
ES1DL R2G
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 289650
Диод: выпрямительный; SMD; 200В; 1А; 35нс; subSMA; Ufmax: 0,95В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
9.52 грн
25+
8.43 грн
100+
7.42 грн
145+
6.89 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  1
Колличество: 864 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
subSMA(1497105)
Емкость
10пФ(1437234)
Обратное напряжение макс.
200В(1439532)
Падение напряжения макс.
0,95В(1591593)
Прямой ток
1А(1439523)
Конструкция диода
одиночный диод(1612600)
Время готовности
35нс(1440096)
Импульсный ток
30А(1439579)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
выпрямительный(1439519)
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated(1617588) сверхбыстрый диод(1497038)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,039 g
 
Универсальные диоды SMD ES1DL R2G
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 289650
Диод: выпрямительный; SMD; 200В; 1А; 35нс; subSMA; Ufmax: 0,95В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
9.52 грн
25+
8.43 грн
100+
7.42 грн
145+
6.89 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  1
Колличество: 864 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
subSMA
Емкость
10пФ
Обратное напряжение макс.
200В
Падение напряжения макс.
0,95В
Прямой ток
1А
Конструкция диода
одиночный диод
Время готовности
35нс
Импульсный ток
30А
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
выпрямительный
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated
Характеристики полупроводниковых элементов
сверхбыстрый диод
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,039 g