Модули IGBT GD75MLX65L3S

 
GD75MLX65L3S
 
Артикул: 732004
Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 328.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
L3.1(1950596)
Обратное напряжение макс.
650В(1440613)
Конструкция диода
диод/транзистор(1612509)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
75А(1441616)
Ток коллектора в импульсе
150А(1441723)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Trench FS IGBT(1950591)
Топология
термистор NTC(1612513) 3-уровневый однофазный инвертор(1645701)
Дополнительная информация: Масса брутто: 39 g
 
Модули IGBT GD75MLX65L3S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732004
Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 328.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
L3.1
Обратное напряжение макс.
650В
Конструкция диода
диод/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
150А
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Trench FS IGBT
Топология
термистор NTC
Топология
3-уровневый однофазный инвертор
Дополнительная информация: Масса брутто: 39 g