0 0 0
  7. GD50HHU120C5S

Модули IGBT GD50HHU120C5S

 
GD50HHU120C5S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 731984
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 856.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
C5 45mm(1950593)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
100А(1441718)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Ultra Fast NPT-IGBT®(1694426)
Топология
Н мост(1612556)
Дополнительная информация: Масса брутто: 200 g
 
Модули IGBT GD50HHU120C5S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 731984
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 856.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
C5 45mm
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
100А
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Ultra Fast NPT-IGBT®
Топология
Н мост
Дополнительная информация: Масса брутто: 200 g