0 0 0
  7. GD35PJY120L3S

Модули IGBT GD35PJY120L3S

 
GD35PJY120L3S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732075
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 881.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 16 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
L3.0(1950606)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
диод/транзистор(1612509)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
35А(1500592)
Ток коллектора в импульсе
70А(1733708)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Advanced Trench FS IGBT(1950594)
Топология
booster(1712523) термистор NTC(1612513) 3-фазный диодный мост(1612510) IGBT three-phase bridge OE output(1951549)
Дополнительная информация: Масса брутто: 43,57 g
 
Модули IGBT GD35PJY120L3S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732075
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 881.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 16 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
L3.0
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
диод/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
35А
Ток коллектора в импульсе
70А
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Advanced Trench FS IGBT
Топология
booster
Топология
термистор NTC
Топология
3-фазный диодный мост
Топология
IGBT three-phase bridge OE output
Дополнительная информация: Масса брутто: 43,57 g