0 0 0
  7. GD10PJX65F1S

Модули IGBT GD10PJX65F1S

 
GD10PJX65F1S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 731952
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 972.80 грн
2+
1 865.36 грн
25+
1 793.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
F1.1(1950597)
Обратное напряжение макс.
650В(1440613)
Конструкция диода
диод/транзистор(1612509)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
10А(1440949)
Ток коллектора в импульсе
20А(1645259)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Trench FS IGBT(1950591)
Топология
booster(1712523) термистор NTC(1612513) 3-фазный диодный мост(1612510) IGBT three-phase bridge OE output(1951549)
Дополнительная информация: Масса брутто: 26 g
 
Модули IGBT GD10PJX65F1S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 731952
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 972.80 грн
2+
1 865.36 грн
25+
1 793.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
F1.1
Обратное напряжение макс.
650В
Конструкция диода
диод/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
20А
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Trench FS IGBT
Топология
booster
Топология
термистор NTC
Топология
3-фазный диодный мост
Топология
IGBT three-phase bridge OE output
Дополнительная информация: Масса брутто: 26 g