0 0 0
  8. DG75X07T2L

Транзисторы IGBT THT DG75X07T2L

 
DG75X07T2L
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746635
Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 428Вт; TO247PLUS
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
508.93 грн
3+
357.50 грн
8+
337.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 31 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247PLUS(1950558)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
75А(1441616)
Ток коллектора в импульсе
300А(1441736)
Время включения
264нс(1950554)
Время выключения
369нс(1950555)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
428Вт(1741827)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,52мкC(1950544)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,173 g
 
Транзисторы IGBT THT DG75X07T2L
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746635
Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 428Вт; TO247PLUS
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
508.93 грн
3+
357.50 грн
8+
337.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 31 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO247PLUS
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
300А
Время включения
264нс
Время выключения
369нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
428Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,52мкC
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,173 g