0 0 0
  8. DG50X07T2

Транзисторы IGBT THT DG50X07T2

 
DG50X07T2
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746640
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 714Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
288.81 грн
3+
259.93 грн
5+
202.95 грн
14+
191.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
150А(1441723)
Время включения
36нс(1441737)
Время выключения
200нс(1441703)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
714Вт(1741826)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,35мкC(1950543)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,93 g
 
Транзисторы IGBT THT DG50X07T2
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746640
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 714Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
288.81 грн
3+
259.93 грн
5+
202.95 грн
14+
191.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
150А
Время включения
36нс
Время выключения
200нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
714Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,35мкC
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,93 g