0 0 0
  8. DG25X12T2

Транзисторы IGBT THT DG25X12T2

 
DG25X12T2
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746639
Транзистор: IGBT; 1200В; 25А; 348Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
304.36 грн
3+
272.90 грн
5+
218.63 грн
13+
206.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
25А(1440980)
Ток коллектора в импульсе
75А(1694309)
Время включения
36нс(1441737)
Время выключения
362нс(1706646)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
348Вт(1950535)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,19мкC(1950536)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,14 g
 
Транзисторы IGBT THT DG25X12T2
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746639
Транзистор: IGBT; 1200В; 25А; 348Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
304.36 грн
3+
272.90 грн
5+
218.63 грн
13+
206.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
25А
Ток коллектора в импульсе
75А
Время включения
36нс
Время выключения
362нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
348Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,19мкC
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,14 g