0 0 0
  8. DG20X06T2

Транзисторы IGBT THT DG20X06T2

 
DG20X06T2
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746648
Транзистор: IGBT; 600В; 29А; 166Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
150.65 грн
3+
135.04 грн
10+
106.16 грн
26+
99.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
29А(1613975)
Ток коллектора в импульсе
60А(1645252)
Время включения
26нс(1621606)
Время выключения
200нс(1441703)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
166Вт(1740800)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,14мкC(1950534)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,198 g
 
Транзисторы IGBT THT DG20X06T2
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746648
Транзистор: IGBT; 600В; 29А; 166Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
150.65 грн
3+
135.04 грн
10+
106.16 грн
26+
99.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
29А
Ток коллектора в импульсе
60А
Время включения
26нс
Время выключения
200нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
166Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,14мкC
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,198 g