0 0 0
  8. DG15X12T2

Транзисторы IGBT THT DG15X12T2

 
DG15X12T2
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746651
Транзистор: IGBT; 1200В; 15А; 138Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
214.66 грн
3+
192.80 грн
7+
151.43 грн
19+
142.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 44 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
15А(1440962)
Ток коллектора в импульсе
45А(1645254)
Время включения
103нс(1739108)
Время выключения
484нс(1950549)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
138Вт(1740788)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,12мкC(1950533)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,11 g
 
Транзисторы IGBT THT DG15X12T2
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746651
Транзистор: IGBT; 1200В; 15А; 138Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
214.66 грн
3+
192.80 грн
7+
151.43 грн
19+
142.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 44 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
15А
Ток коллектора в импульсе
45А
Время включения
103нс
Время выключения
484нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
138Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,12мкC
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,11 g