0 0 0
  8. DG10X12T2

Транзисторы IGBT THT DG10X12T2

 
DG10X12T2
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746643
Транзистор: IGBT; 1200В; 10А; 96Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
177.97 грн
3+
159.24 грн
8+
124.89 грн
22+
117.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 56 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
10А(1440949)
Ток коллектора в импульсе
30А(1441708)
Время включения
37нс(1607623)
Время выключения
493нс(1757673)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
96Вт(1740786)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
80нC(1479275)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,14 g
 
Транзисторы IGBT THT DG10X12T2
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746643
Транзистор: IGBT; 1200В; 10А; 96Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
177.97 грн
3+
159.24 грн
8+
124.89 грн
22+
117.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 56 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
30А
Время включения
37нс
Время выключения
493нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
96Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
80нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,14 g