0 0 0
  8. P40B10SN-5071

Транзисторы с каналом N SMD P40B10SN-5071

 
P40B10SN-5071
 
SHINDENGEN
Артикул: 449599
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 40А; Idm: 40А; 62,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
78.59 грн
5+
50.49 грн
25+
40.48 грн
69+
38.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2995 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
FB (TO252AA)(1829950)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
16,8мОм(1744091)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
62,5Вт(1702079)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
56нC(1479440)
Технология
EETMOS3(1829963)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,369 g
 
Транзисторы с каналом N SMD P40B10SN-5071
SHINDENGEN
Артикул: 449599
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 40А; Idm: 40А; 62,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
78.59 грн
5+
50.49 грн
25+
40.48 грн
69+
38.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2995 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
SMD
Корпус
FB (TO252AA)
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
16,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
62,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
56нC
Технология
EETMOS3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,369 g