0 0 0
  8. SCT3120ALGC11

Транзисторы с каналом N THT SCT3120ALGC11

 
SCT3120ALGC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741269
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 21А; Idm: 52А; 103Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
844.58 грн
2+
594.01 грн
5+
561.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
21А(1441374)
Сопротивление в открытом состоянии
156мОм(1811022)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
103Вт(1759560)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
38нC(1479182)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-4...22В(1981554)
Ток стока в импульсном режиме
52А(1789218)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT SCT3120ALGC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741269
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 21А; Idm: 52А; 103Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
844.58 грн
2+
594.01 грн
5+
561.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
21А
Сопротивление в открытом состоянии
156мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
103Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
38нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-4...22В
Ток стока в импульсном режиме
52А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g