Транзисторы с каналом N THT SCT3105KRC14

 
SCT3105KRC14
 
Артикул: 741309
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 24А; Idm: 60А; 134Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 254.38 грн
2+
885.17 грн
3+
884.39 грн
4+
836.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
24А(1441564)
Сопротивление в открытом состоянии
137мОм(1812406)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
134Вт(1741880)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
51нC(1610021)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-4...22В(1981554)
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT SCT3105KRC14
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741309
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 24А; Idm: 60А; 134Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 254.38 грн
2+
885.17 грн
3+
884.39 грн
4+
836.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
24А
Сопротивление в открытом состоянии
137мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
134Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
51нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-4...22В
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g