0 0 0
  8. SCT3030ARC14

Транзисторы с каналом N THT SCT3030ARC14

 
SCT3030ARC14
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741310
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 70А; Idm: 175А; 262Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 445.53 грн
2+
2 312.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
70А(1441315)
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм(1479302)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
262Вт(1759513)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
104нC(1744095)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-4...22В(1981554)
Ток стока в импульсном режиме
175А(1790440)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT SCT3030ARC14
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741310
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 70А; Idm: 175А; 262Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 445.53 грн
2+
2 312.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
70А
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
262Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
104нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-4...22В
Ток стока в импульсном режиме
175А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g