0 0 0
  8. SCT2H12NZGC11

Транзисторы с каналом N THT SCT2H12NZGC11

 
SCT2H12NZGC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741257
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,7А; Idm: 9,2А; 35Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
472.24 грн
3+
331.74 грн
9+
313.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PFM(1776449)
Напряжение сток-исток
1,7кВ(1593807)
Ток стока
3,7А(1441259)
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом(1441464)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
35Вт(1707246)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
14нC(1479029)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-6...22В(1981147)
Ток стока в импульсном режиме
9,2А(1873980)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT SCT2H12NZGC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741257
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,7А; Idm: 9,2А; 35Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
472.24 грн
3+
331.74 грн
9+
313.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PFM
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Ток стока
3,7А
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
14нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-6...22В
Ток стока в импульсном режиме
9,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g