0 0 0
  8. R6030JNZ4C13

Транзисторы с каналом N THT R6030JNZ4C13

 
R6030JNZ4C13
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741273
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; Idm: 90А; 370Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
643.97 грн
3+
562.79 грн
5+
238.07 грн
12+
224.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 597 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
30А(1441514)
Сопротивление в открытом состоянии
143мОм(1884199)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
370Вт(1741804)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
74нC(1479341)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
90А(1797079)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,124 g
 
Транзисторы с каналом N THT R6030JNZ4C13
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 741273
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; Idm: 90А; 370Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
643.97 грн
3+
562.79 грн
5+
238.07 грн
12+
224.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 597 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
30А
Сопротивление в открытом состоянии
143мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
370Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
74нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
90А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,124 g