0 0 0
  8. UJ3C120040K3S

Транзисторы с каналом N THT UJ3C120040K3S

 
UJ3C120040K3S
 
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080301
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 1,2кВ; 47А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 365.96 грн
2+
2 236.72 грн
30+
2 151.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
UnitedSiC(1363)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
47А(1479369)
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм(1441501)
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET(1670265)
Рассеиваемая мощность
429Вт(1742143)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
51нC(1610021)
Технология
SiC(1591568)
Вид транзистора
каскодный(1670264)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
175А(1790440)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,2 g
 
Транзисторы с каналом N THT UJ3C120040K3S
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080301
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 1,2кВ; 47А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 365.96 грн
2+
2 236.72 грн
30+
2 151.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
UnitedSiC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
47А
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
429Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
51нC
Технология
SiC
Вид транзистора
каскодный
Ток стока в импульсном режиме
175А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,2 g