0 0 0
  8. UJ3C065080B3

Транзисторы с каналом N SMD UJ3C065080B3

 
UJ3C065080B3
 
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 077657
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 18,2А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 012.87 грн
2+
920.22 грн
3+
870.40 грн
10+
865.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
UnitedSiC(1363)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
18,2А(1745502)
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET(1670265)
Рассеиваемая мощность
115Вт(1702082)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
51нC(1610021)
Технология
SiC(1591568)
Вид транзистора
каскодный(1670264)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
65А(1759382)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,647 g
 
Транзисторы с каналом N SMD UJ3C065080B3
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 077657
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 18,2А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 012.87 грн
2+
920.22 грн
3+
870.40 грн
10+
865.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
UnitedSiC
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
18,2А
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
115Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
51нC
Технология
SiC
Вид транзистора
каскодный
Ток стока в импульсном режиме
65А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,647 g