Транзисторы с каналом N THT UJ3C065030T3S

 
UJ3C065030T3S
 
Артикул: 080298
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 62А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 457.82 грн
2+
2 323.92 грн
10+
2 312.24 грн
50+
2 234.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 9 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
UnitedSiC(1363)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
62А(1479409)
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм(1479328)
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET(1670265)
Рассеиваемая мощность
441Вт(1741905)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
51нC(1610021)
Технология
SiC(1591568)
Вид транзистора
каскодный(1670264)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
230А(1789206)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT UJ3C065030T3S
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080298
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 62А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 457.82 грн
2+
2 323.92 грн
10+
2 312.24 грн
50+
2 234.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 9 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
UnitedSiC
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
62А
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
441Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
51нC
Технология
SiC
Вид транзистора
каскодный
Ток стока в импульсном режиме
230А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g