0 0 0
  8. UF3C065080K4S

Транзисторы с каналом N THT UF3C065080K4S

 
UF3C065080K4S
 
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080296
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 23А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 972.16 грн
2+
1 864.40 грн
3+
1 826.42 грн
5+
1 792.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
UnitedSiC(1363)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
23А(1479277)
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET(1670265)
Рассеиваемая мощность
190Вт(1740822)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
43нC(1479408)
Технология
SiC(1591568)
Вид транзистора
каскодный(1670264)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
65А(1759382)
Дополнительная информация: Масса брутто: 7 g
 
Транзисторы с каналом N THT UF3C065080K4S
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080296
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 23А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 972.16 грн
2+
1 864.40 грн
3+
1 826.42 грн
5+
1 792.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
UnitedSiC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
23А
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
190Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
43нC
Технология
SiC
Вид транзистора
каскодный
Ток стока в импульсном режиме
65А
Дополнительная информация: Масса брутто: 7 g