0 0 0
  8. UF3C065040K3S

Транзисторы с каналом N THT UF3C065040K3S

 
UF3C065040K3S
 
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080295
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 854.88 грн
3+
2 846.31 грн
5+
2 745.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 5 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
UnitedSiC(1363)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм(1478970)
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET(1670265)
Рассеиваемая мощность
326Вт(1741821)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
51нC(1610021)
Технология
SiC(1591568)
Вид транзистора
каскодный(1670264)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
125А(1823311)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,5 g
 
Транзисторы с каналом N THT UF3C065040K3S
Qorvo (UnitedSiC)
Артикул: 080295
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 854.88 грн
3+
2 846.31 грн
5+
2 745.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 5 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
UnitedSiC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
326Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
51нC
Технология
SiC
Вид транзистора
каскодный
Ток стока в импульсном режиме
125А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,5 g