0 0 0
  8. P6SMBJ10CA_R1_00001

Диоды transil SMD двунаправленные P6SMBJ10CA_R1_00001

 
P6SMBJ10CA_R1_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 854530
Диод: TVS; 0,6кВт; 11,1÷12,3В; 35,3А; двунаправленный; SMB; P6SMBJ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.71 грн
25+
9.84 грн
100+
8.82 грн
135+
7.42 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 800 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMB(1598085)
Обратное напряжение макс.
10В(1440549)
Конструкция диода
двунаправленный(1440419)
Импульсный ток
35,3А(1501583)
Напряжение пробоя
11,1...12,3В(1666908)
Ток утечки
5мкА(1501362)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated(1617588)
Серия
P6SMBJ(1993183)
Peak pulse power dissipation
0,6кВт(1912991)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,16 g
 
Диоды transil SMD двунаправленные P6SMBJ10CA_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 854530
Диод: TVS; 0,6кВт; 11,1÷12,3В; 35,3А; двунаправленный; SMB; P6SMBJ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.71 грн
25+
9.84 грн
100+
8.82 грн
135+
7.42 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 800 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SMB
Обратное напряжение макс.
10В
Конструкция диода
двунаправленный
Импульсный ток
35,3А
Напряжение пробоя
11,1...12,3В
Ток утечки
5мкА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated
Серия
P6SMBJ
Peak pulse power dissipation
0,6кВт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,16 g