0 0 0
  8. P4SMAJ12CA_R1_00001

Диоды transil SMD двунаправленные P4SMAJ12CA_R1_00001

 
P4SMAJ12CA_R1_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 854545
Диод: TVS; 0,4кВт; 13,3÷14,7В; 20,1А; двунаправленный; SMA; P4SMAJ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.55 грн
25+
8.12 грн
100+
7.34 грн
155+
6.40 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 1705 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMA(1617640)
Обратное напряжение макс.
12В(1440484)
Конструкция диода
двунаправленный(1440419)
Импульсный ток
20,1А(1501541)
Напряжение пробоя
13,3...14,7В(1711316)
Ток утечки
1мкА(1501355)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated(1617588)
Серия
P4SMAJ(1993182)
Peak pulse power dissipation
0,4кВт(1912990)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,096 g
 
Диоды transil SMD двунаправленные P4SMAJ12CA_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 854545
Диод: TVS; 0,4кВт; 13,3÷14,7В; 20,1А; двунаправленный; SMA; P4SMAJ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.55 грн
25+
8.12 грн
100+
7.34 грн
155+
6.40 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 1705 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SMA
Обратное напряжение макс.
12В
Конструкция диода
двунаправленный
Импульсный ток
20,1А
Напряжение пробоя
13,3...14,7В
Ток утечки
1мкА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated
Серия
P4SMAJ
Peak pulse power dissipation
0,4кВт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,096 g