0 0 0
  8. ISL9V5036S3ST

Транзисторы IGBT SMD ISL9V5036S3ST

 
ISL9V5036S3ST
 
ONSEMI
Артикул: 220537
Транзистор: IGBT; 390В; 31А; 250Вт; D2PAK; системы зажигания
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
293.42 грн
4+
273.08 грн
5+
263.69 грн
11+
258.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
390В(1743794)
Напряжение затвор - эмиттер
±10В(1743795)
Ток коллектора
31А(1478916)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Применение
системы зажигания(1862559)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Заряд затвора
32нC(1479130)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,605 g
 
Транзисторы IGBT SMD ISL9V5036S3ST
ONSEMI
Артикул: 220537
Транзистор: IGBT; 390В; 31А; 250Вт; D2PAK; системы зажигания
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
293.42 грн
4+
273.08 грн
5+
263.69 грн
11+
258.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
390В
Напряжение затвор - эмиттер
±10В
Ток коллектора
31А
Тип транзистора
IGBT
Применение
системы зажигания
Рассеиваемая мощность
250Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
32нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,605 g