0 0 0
  8. BFU725F/N1,115

Транзисторы NPN SMD BFU725F/N1,115

 
BFU725F/N1,115
 
NXP
Артикул: 671878
Транзистор: NPN; биполярный; RF; 2,8В; 40мА; 136мВт; SOT343F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
29.89 грн
25+
26.90 грн
49+
20.37 грн
134+
19.27 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2870 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NXP(34)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT343F(1741293)
Частота
110ГГц(1918488)
Напряжение коллектор-эмиттер
2,8В(1918322)
Коэффициент усиления по току
160...400(1707724)
Ток коллектора
40мА(1440789)
Тип транзистора
NPN(1440761)
Рассеиваемая мощность
136мВт(1918323)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
silicon germanium transistor (SiGe)(1918489)
Вид транзистора
RF(1645036)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Транзисторы NPN SMD BFU725F/N1,115
NXP
Артикул: 671878
Транзистор: NPN; биполярный; RF; 2,8В; 40мА; 136мВт; SOT343F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
29.89 грн
25+
26.90 грн
49+
20.37 грн
134+
19.27 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2870 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NXP
Монтаж
SMD
Корпус
SOT343F
Частота
110ГГц
Напряжение коллектор-эмиттер
2,8В
Коэффициент усиления по току
160...400
Ток коллектора
40мА
Тип транзистора
NPN
Рассеиваемая мощность
136мВт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
silicon germanium transistor (SiGe)
Вид транзистора
RF
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g