Транзисторы с каналом N SMD AFT09MS031GNR1

 
AFT09MS031GNR1
 
Артикул: 817992
Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 317Вт; TO270G-2; Pвых: 31Вт; SMT
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 371.46 грн
2+
1 297.31 грн
5+
1 296.53 грн
500+
1 247.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
NXP(34)
Корпус
TO270G-2(1962666)
Частота
870МГц(1597108)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Усиление
17,2дБ(1962659)
Выходная мощность
31Вт(1962658)
Рассеиваемая мощность
317Вт(1962645)
КПД
71%(1819557)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Электрический монтаж
SMT(1443394)
Вид транзистора
RF(1645036)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD AFT09MS031GNR1
NXP
Артикул: 817992
Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 317Вт; TO270G-2; Pвых: 31Вт; SMT
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 371.46 грн
2+
1 297.31 грн
5+
1 296.53 грн
500+
1 247.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NXP
Корпус
TO270G-2
Частота
870МГц
Тип транзистора
N-MOSFET
Усиление
17,2дБ
Выходная мощность
31Вт
Рассеиваемая мощность
317Вт
КПД
71%
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Электрический монтаж
SMT
Вид транзистора
RF
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g