Диоды transil SMD двунаправленные MSMLJ51CAE3

 
MSMLJ51CAE3
 
Артикул: 215349
Диод: TVS; 3кВт; 59,7В; 36,4А; двунаправленный; ±5%; DO214AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
338.95 грн
3+
299.26 грн
4+
259.57 грн
11+
245.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DO214AB(1440540)
Погрешность
±5%(1819321)
Обратное напряжение макс.
51В(1634209)
Конструкция диода
двунаправленный(1440419)
Импульсный ток
36,4А(1501652)
Напряжение пробоя
59,7В(1699204)
Ток утечки
2мкА(1501427)
Тип диода
защитный(1440400)
Peak pulse power dissipation
3кВт(1911780)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Диоды transil SMD двунаправленные MSMLJ51CAE3
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 215349
Диод: TVS; 3кВт; 59,7В; 36,4А; двунаправленный; ±5%; DO214AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
338.95 грн
3+
299.26 грн
4+
259.57 грн
11+
245.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
DO214AB
Погрешность
±5%
Обратное напряжение макс.
51В
Конструкция диода
двунаправленный
Импульсный ток
36,4А
Напряжение пробоя
59,7В
Ток утечки
2мкА
Тип диода
защитный
Peak pulse power dissipation
3кВт
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g