0 0 0
  8. G3R45MT17D

Транзисторы с каналом N THT G3R45MT17D

 
G3R45MT17D
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451842
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 396.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 18 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1,7кВ(1593807)
Ток стока
43А(1479345)
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм(1441266)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
438Вт(1833098)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
182нC(1757706)
Технология
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...15В(1981523)
Ток стока в импульсном режиме
160А(1741661)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,04 g
 
Транзисторы с каналом N THT G3R45MT17D
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451842
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 396.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 18 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Ток стока
43А
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
438Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
182нC
Технология
SiC
Технология
G3R™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Ток стока в импульсном режиме
160А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,04 g