0 0 0
  8. G3R30MT12K

Транзисторы с каналом N THT G3R30MT12K

 
G3R30MT12K
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451837
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 656.64 грн
2+
1 566.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
63А(1479411)
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм(1441278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
400Вт(1700319)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
155нC(1479498)
Технология
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...15В(1981523)
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,7 g
 
Транзисторы с каналом N THT G3R30MT12K
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451837
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 656.64 грн
2+
1 566.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
63А
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
400Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
155нC
Технология
SiC
Технология
G3R™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,7 g