0 0 0
  8. G3R20MT17K

Транзисторы с каналом N THT G3R20MT17K

 
G3R20MT17K
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451836
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7 091.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,7кВ(1593807)
Ток стока
88А(1599601)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
809Вт(1833097)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
400нC(1742769)
Технология
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...15В(1981523)
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,2 g
 
Транзисторы с каналом N THT G3R20MT17K
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451836
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7 091.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Ток стока
88А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
809Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
400нC
Технология
SiC
Технология
G3R™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,2 g