0 0 0
  7. G3R20MT12N

Транзисторные модули MOSFET G3R20MT12N

 
G3R20MT12N
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 455957
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 929.85 грн
10+
3 779.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 153 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
74А(1492305)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Рассеиваемая мощность
365Вт(1757727)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...15В(1981523)
Ток стока в импульсном режиме
240А(1741658)
Дополнительная информация: Масса брутто: 35,39 g
 
Транзисторные модули MOSFET G3R20MT12N
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 455957
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 929.85 грн
10+
3 779.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 153 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
74А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Рассеиваемая мощность
365Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
SiC
Технология
G3R™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Ток стока в импульсном режиме
240А
Дополнительная информация: Масса брутто: 35,39 g