0 0 0
  8. G3R20MT12K

Транзисторы с каналом N THT G3R20MT12K

 
G3R20MT12K
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451835
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 634.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
90А(1479466)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
542Вт(1833091)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
219нC(1833092)
Технология
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...15В(1981523)
Ток стока в импульсном режиме
240А(1741658)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,7 g
 
Транзисторы с каналом N THT G3R20MT12K
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451835
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 634.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
90А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
542Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
219нC
Технология
SiC
Технология
G3R™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Ток стока в импульсном режиме
240А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,7 g