0 0 0
  8. G3R160MT17J

Транзисторы с каналом N SMD G3R160MT17J

 
G3R160MT17J
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451826
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
979.10 грн
2+
890.73 грн
4+
841.89 грн
100+
805.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263-7(1492235)
Напряжение сток-исток
1,7кВ(1593807)
Ток стока
15А(1441590)
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
187Вт(1740760)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
51нC(1610021)
Технология
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...15В(1981523)
Ток стока в импульсном режиме
48А(1741686)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,45 g
 
Транзисторы с каналом N SMD G3R160MT17J
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451826
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
979.10 грн
2+
890.73 грн
4+
841.89 грн
100+
805.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
SMD
Корпус
TO263-7
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Ток стока
15А
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
187Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
51нC
Технология
SiC
Технология
G3R™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Ток стока в импульсном режиме
48А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,45 g